SIA910EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал

49,50 ₽

Артикул: dde79cc5b59a Категория:

      Описание

      SIA910EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал The SIA910EDJ-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for load switch for portable and high frequency DC-to-DC converter applications.

      • Halogen-free
      • TrenchFET® power MOSFET
      • Thermally enhanced PowerPAK® package
      • Small footprint
      • Low ON-resistance
      • Typical ESD protection
      • 100% Rg tested

      Полупроводники — ДискретныеТранзисторыМОП-транзисторы

      Детали
      Бренд

      VISHAY
      Максимальная Рабочая Температура

      150 C
      Количество Выводов

      6вывод(-ов)
      Стандарт Корпуса Транзистора

      PowerPAK SC70
      Рассеиваемая Мощность

      7.8Вт
      Полярность Транзистора

      Двойной N Канал
      Напряжение Истока-стока Vds

      12в
      Непрерывный Ток Стока

      4.5А
      Наименование

      SIA910EDJ-T1-GE3, Двойной МОП-транзистор, Двойной N Канал, 4.5 А, 12 В, 0.023 Ом, 4.5 В, 400 мВ